UMG2N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: UMG2N
Маркировка: G2
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 68
Корпус транзистора: SC88A SOT353
UMG2N Datasheet (PDF)
umg2n fmg2a g2 sot23-5 sot353.pdf
Transistors Emitter common (dual digital transistors) UMG2N / FMG2A FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Two DTC144E chips in a UMT or SMT package. 2) Mounting cost and area can be cut in half. FStructure Dual NPN digital transistor (each with two built in resistors) The following characteristics apply to both DTr1 and DTr2. FAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C) (96-409
emg2 umg2n fmg2a umg2n.pdf
EMG2 / UMG2N / FMG2A Transistors Emitter common (dual digital transistors) EMG2 / UMG2N / FMG2A Features External dimensions (Unit mm) 1) Two DTC144E chips in a EMT or UMT or SMT EMG2 package. 2) Mounting cost and area can be cut in half. (4) (3) (2) (5) (1) 1.2 1.6 Structure Dual NPN digital transistor Each lead has same dimensions (each with a single built i
umg2n.pdf
UMG2N DIGITAL TRANSISTOR (NPN+ NPN) SOT-353 Features Two DTC144E transistors are built-in a package. (3) (2) (1) R1=47k R1 R2=47k R2 R2 1 DTr2 DTr1 (4) (5)/(6) MARKING G2 Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Parameter Symbol Limits Unit Supply voltage VCC 50 V Input voltage VIN -10 to+40 V IO 30 mA Output current IC(Max.) 100 mA Power dissipation PC 150 mW
lumg2nt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Dual NPN Digital Transistor Pb-Free Package is Available. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site LUMG2NT1G and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. S-LUMG2NT1G Ordering Information Device Marking Shipping LUMG2NT1G 3000/Tape&Reel G2 S-LUMG2NT1G LUMG2NT3G 10000/Tape&Reel G2 S-LUMG2NT3G ABSO
Другие транзисторы... UMD3N , UMD6N , PDTA123EEF , UMD9N , UMG11N , PDTA123EK , PDTA123ES , UMG1N , 13005 , UMG3N , UMG4N , UMG5N , UMG6N , UMG8N , UMG9N , UMH10N , UMH11N .
History: 2SA710 | 2SC3521
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
pa110bda | 2sb1243 | a1123 transistor | skd502t datasheet | svf7n65f | 2sc1419 datasheet | 2n4249 datasheet | tip130





