UMH2N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: UMH2N  📄📄 

Маркировка: H2

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 68

Корпус транзистора: SC88 SOT353

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для UMH2N

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UMH2N даташит

 ..1. Size:137K  rohm
 umh2n umt3904 sst3904 mmst3904 2.pdf pdf_icon

UMH2N

General purpose (dual digital transistors) EMH2 / UMH2N / IMH2A Features Two DTC144Es chips in a EMT or UMT or SMT package. Dimensions (Unit mm) 1) EMH2 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 automatic mounting machines. (4) ( ) 3 (5) (2) 3) Transistor elements are independent, eliminating interference. ( ) (1) 6 1.2 4) Mounting cost and area can be cut in h

 ..2. Size:62K  rohm
 umh2n imh2a h2 sot23-6sot363.pdf pdf_icon

UMH2N

Transistors General purpose (dual digital transistors) UMH2N / IMH2A FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Two DTC144Es chips in a UMT or SMT package. 2) Mounting possible with UMT3 or SMT3 automatic mounting ma- chines. 3) Transistor elements are indepen- dent, eliminating interference. 4) Mounting cost and area can be cut in half. FStructure Epitaxial planar type NPN s

 ..3. Size:395K  mcc
 umh2n.pdf pdf_icon

UMH2N

MCC Micro Commercial Components TM 20736 Marilla Street Chatsworth UMH2N Micro Commercial Components CA 91311 Phone (818) 701-4933 Fax (818) 701-4939 Features Two DTC144E chips in one package Mounting possible with SOT-363 automatic mounting machines. Dual Transistors Transistor elements are independent, eliminating interference. Lead Free Finish/RoHS Compli

 0.1. Size:1331K  rohm
 emh2fha umh2nfha imh2afra.pdf pdf_icon

UMH2N

EMH2 / UMH2N / IMH2A EMH2FHA / UMH2NFHA / IMH2AFRA Datasheet NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline EMT6 UMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (6) (6) (5) VCC (5) 50V (4) (4) (1) (1) IC(MAX.) 100mA (2) (2) (3) (3) R1 47kW EMH2 UMH2N EMH2FHA UMH2NFHA R2 (SC-107C) 47kW SOT-353 (SC-88) SMT6

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: UMG4N, UMG5N, UMG6N, UMG8N, UMG9N, UMH10N, UMH11N, UMH1N, 2SC2240, UMH3N, UMH4N, UMH5N, UMH6N, UMH7N, UMH8N, UMH9N, UMS1N