Биполярный транзистор UMH2N - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: UMH2N
Маркировка: H2
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 68
Корпус транзистора: SC88 SOT353
UMH2N Datasheet (PDF)
umh2n umt3904 sst3904 mmst3904 2.pdf
General purpose (dual digital transistors) EMH2 / UMH2N / IMH2A Features Two DTC144Es chips in a EMT or UMT or SMT package. Dimensions (Unit : mm) 1) EMH22) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 automatic mounting machines. (4) ( )3(5) (2)3) Transistor elements are independent, eliminating interference. ( ) (1)61.24) Mounting cost and area can be cut in h
umh2n imh2a h2 sot23-6sot363.pdf
TransistorsGeneral purpose(dual digital transistors)UMH2N / IMH2AFFeatures FExternal dimensions (Units: mm)1) Two DTC144Es chips in a UMT orSMT package.2) Mounting possible with UMT3 orSMT3 automatic mounting ma-chines.3) Transistor elements are indepen-dent, eliminating interference.4) Mounting cost and area can be cutin half.FStructureEpitaxial planar typeNPN s
umh2n.pdf
MCCMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street ChatsworthUMH2NMicro Commercial ComponentsCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Two DTC144E chips in one package Mounting possible with SOT-363 automatic mounting machines. Dual Transistors Transistor elements are independent, eliminating interference. Lead Free Finish/RoHS Compli
emh2fha umh2nfha imh2afra.pdf
EMH2 / UMH2N / IMH2AEMH2FHA / UMH2NFHA / IMH2AFRADatasheetNPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 QualifiedlOutlineEMT6 UMT6Parameter Tr1 and Tr2(6) (6) (5) VCC (5) 50V (4) (4) (1) (1) IC(MAX.)100mA (2) (2) (3) (3) R147kWEMH2 UMH2N EMH2FHA UMH2NFHAR2(SC-107C) 47kW SOT-353 (SC-88) SMT6
emh2fha umh2nfha.pdf
EMH2 / UMH2N / IMH2AEMH2FHA / UMH2NFHA / IMH2AFRADatasheetNPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 QualifiedlOutlineEMT6 UMT6Parameter Tr1 and Tr2(6) (6) (5) VCC (5) 50V (4) (4) (1) (1) IC(MAX.)100mA (2) (2) (3) (3) R147kWEMH2 UMH2N EMH2FHA UMH2NFHAR2(SC-107C) 47kW SOT-353 (SC-88) SMT6
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: ZXTP19020DFF
History: ZXTP19020DFF
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050