UMT1006 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: UMT1006  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 6 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 150 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 12

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для UMT1006

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UMT1006 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: UMH4N, UMH5N, UMH6N, UMH7N, UMH8N, UMH9N, UMS1N, UMS2N, 2SC828, UMT1007, UMT1008, UMT1009, UMT1011, UMT1012, UMT1203, UMT1204, UMT13004