UMT1009 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: UMT1009  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 6 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 12

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для UMT1009

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UMT1009 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: UMH7N, UMH8N, UMH9N, UMS1N, UMS2N, UMT1006, UMT1007, UMT1008, TIP32C, UMT1011, UMT1012, UMT1203, UMT1204, UMT13004, UMT13005, UMT13006, UMT13007