UMX4N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: UMX4N  📄📄 

Маркировка: X4

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 600 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.95 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 56

Корпус транзистора: SC88 SOT353

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для UMX4N

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UMX4N даташит

 ..1. Size:78K  rohm
 emx4 umx4n imx4.pdf pdf_icon

UMX4N

EMX4 / UMX4N / IMX4 Transistors High transition frequency (dual transistors) EMX4 / UMX4N / IMX4 Dimensions (Unit mm) Features 1) Two 2SC3837K chips in a EMT or UMT or SMT package. EMX4 2) High transition frequency. (fT=1.5GHz) 3) Low output capacitance. (Cob=0.9pF) Equivalent circuits EMX4 / UMX4N IMX4 (3) (2) (1) (4) (5) (6) ROHM EMT6 Each lead has same dimensions

 ..2. Size:50K  rohm
 umx4n imx4 x4 sot363 sot23-6.pdf pdf_icon

UMX4N

UMW6N / UMW10N / UMX4N / FMW6 / FMW10 / IMX Transistors Transistors UMW7N / UMW8N / UMX5N / FMW7 / FMW8 / IMX (94S-404-C101)

Другие транзисторы: UMW1N, UMW2N, UMW6N, UMW7N, UMW8N, UMX1N, UMX2N, UMX3N, 2SA1943, UMX5N, UMY1N, UMY3N, UMZ1N, UMZ2N, UN1110Q, UN1110R, UN1110S