UN1110Q datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: UN1110Q  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 160

Корпус транзистора: M-A1

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для UN1110Q

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UN1110Q даташит

 ..1. Size:263K  panasonic
 un1110q un1110r un1110s un1111 un1112 un1113 un1114 un1115q un1116q un1116r un1116s un1117q un1117r un1117s un1118 un1119 un111d un111e un111f un111h un111l.pdf pdf_icon

UN1110Q

Transistors with built-in Resistor UNR1111/1112/1113/1114/1115/1116/1117/1118/1119/1110/ 111D/111E/111F/111H/111L (UN1111/1112/1113/1114/1115/1116/1117/1118/1119/1110/ Unit mm 111D/111E/111F/111H/111L) 2.5 0.1 6.9 0.1 (1.0) (1.5) Silicon PNP epitaxial planar transistor (1.5) R 0.9 For digital circuits R 0.7 Features Costs can be reduced through downsizing of the equipment and

Другие транзисторы: UMX2N, UMX3N, UMX4N, UMX5N, UMY1N, UMY3N, UMZ1N, UMZ2N, D882, UN1110R, UN1110S, UN1111, UN1112, UN1113, UN1114, UN1115Q, UN1115R