UN112X - описание и поиск аналогов

 

UN112X. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: UN112X

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 0.27 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 5 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.054

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: M-A1

 Аналоги (замена) для UN112X

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UN112X даташит

 ..1. Size:142K  panasonic
 un1121 un1122 un1123 un1124 un112x un112y.pdf pdf_icon

UN112X

Transistors with built-in Resistor UNR1121/1122/1123/1124/112X/112Y (UN1121/1122/1123/1124/112X/112Y) Silicon PNP epitaxial planer transistor Unit mm 2.5 0.1 For digital circuits 6.9 0.1 (1.0) (1.5) (1.5) Features R 0.9 Costs can be reduced through downsizing of the equipment and R 0.7 reduction of the number of parts. M type package allowing easy automatic and manual ins

Другие транзисторы: UN111E, UN111F, UN111H, UN111L, UN1121, UN1122, UN1123, UN1124, BC558, UN112Y, UN1210Q, UN1210R, UN1210S, UN1211, UN1212, UN1213, UN1214

 

 

 

 

↑ Back to Top
.