UN1223 - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: UN1223
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: M-A1
Аналоги (замена) для UN1223
UN1223 - технические параметры
un1221 un1222 un1223 un1224.pdf
Transistors with built-in Resistor UNR1221/1222/1223/1224 (UN1221/1222/1223/1224) Unit mm Silicon NPN epitaxial planer transistor 6.9 0.1 2.5 0.1 For digital circuits 1.5 1.5 R0.9 1.0 R0.9 Features Costs can be reduced through downsizing of the equipment and reduction of the number of parts. M type package allowing easy automatic and manual insertion as well as stand-alone fixing
Другие транзисторы... UN1219 , UN121D , UN121E , UN121F , UN121L , UN121K , UN1221 , UN1222 , 2SC2240 , UN1224 , UN2110Q , UN2110R , UN2110S , UN2111 , UN2112 , UN2113 , UN2114 .
History: 3DA41C | UN1222 | 3DA96A | UN2114
History: 3DA41C | UN1222 | 3DA96A | UN2114
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
c2634 transistor | mdp1991 datasheet | 40636 transistor | ao3407 datasheet | c1841 transistor | fb42n20d | irfb3306 equivalent | irfp460 характеристики


