Биполярный транзистор UN2118 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: UN2118
Маркировка: 6I
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 0.51 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 5.1 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: SOT23 SC59
- подбор биполярного транзистора по параметрам
UN2118 Datasheet (PDF)
mun2111t1rev5.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MUN2111T1/DBias Resistor TransistorMUN2111T1PNP Silicon Surface Mount Transistor withSERIESMonolithic Bias Resistor NetworkMotorola Preferred DevicesThis new series of digital transistors is designed to replace a single device and itsexternal resistor bias network. The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a singl
mmun2111lt1rev0d.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMUN2111LT1/DBias Resistor TransistorMMUN2111LT1PNP Silicon Surface Mount Transistor withSERIESMonolithic Bias Resistor NetworkMotorola Preferred DevicesThis new series of digital transistors is designed to replace a single device and itsexternal resistor bias network. The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a s
mmun2111.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMUN2111LT1/DBias Resistor TransistorMMUN2111LT1PNP Silicon Surface Mount Transistor withSERIESMonolithic Bias Resistor NetworkMotorola Preferred DevicesThis new series of digital transistors is designed to replace a single device and itsexternal resistor bias network. The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a s
mun2115.pdf

MUN2115, MMUN2115L,MUN5115, DTA114TE,DTA114TM3, NSBA114TF3Digital Transistors (BRT)R1 = 10 kW, R2 = 8 kWhttp://onsemi.comPNP Transistors with Monolithic BiasPIN CONNECTIONSResistor NetworkPIN 3COLLECTORThis series of digital transistors is designed to replace a single(OUTPUT)PIN 1device and its external resistor bias network. The Bias Resistor R1BASETransistor (B
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: PDTA144TEF | 2SA1480E | 2SC4321 | 2N4355 | 2N1196 | 2SC2959 | 2SA909
History: PDTA144TEF | 2SA1480E | 2SC4321 | 2N4355 | 2N1196 | 2SC2959 | 2SA909



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
g40t60an3h datasheet | j5027-r datasheet | transistor a1015 datasheet | bf199 transistor equivalent | bu801 | c8550 transistor datasheet | mj21194 transistor datasheet | kep40n26