UN212X. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: UN212X
Маркировка: 7I
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 0.27 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 5 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.054
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20
Корпус транзистора: SOT23 SC59
Аналоги (замена) для UN212X
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
UN212X даташит
un2121 un2122 un2123 un2124 un212x un212y.pdf
Transistors with built-in Resistor UN2121/2122/2123/2124/212X/212Y Silicon PNP epitaxial planer transistor For digital circuits Unit mm +0.2 2.8 0.3 Features +0.25 0.65 0.15 1.5 0.05 0.65 0.15 Costs can be reduced through downsizing of the equipment and reduction of the number of parts. 1 Mini type package, allowing downsizing of the equipment and automatic insertion
Другие транзисторы: UN211N, UN211T, UN211V, UN211Z, UN2121, UN2122, UN2123, UN2124, 2N5401, UN212Y, UN2210Q, UN2210R, UN2210S, UN2211, UN2212, UN2213, UN2214
History: KTC3883 | BUY89
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irf640n | 2n3904 | bc547 datasheet | k3797 mosfet | bs170 datasheet | tip41c | irfp460 | irfz44n mosfet

