UN4116Q - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: UN4116Q
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160
Корпус транзистора: TO92S
Аналоги (замена) для UN4116Q
UN4116Q - технические параметры
un4110q un4110r un4110s un4111 un4112 un4113 un4114 un4115q un4115r un4115s un4116q un4116r un4116s un4117q un4117r un4117s.pdf
Transistors with built-in Resistor UN4111/4112/4113/4114/4115/4116/4117/4118/ 4119/4110/411D/411E/411F/411H/411L Silicon PNP epitaxial planer transistor Unit mm For digital circuits 4.0 0.2 Features Costs can be reduced through downsizing of the equipment and reduction of the number of parts. New S type package, allowing supply with the radial taping. marking Resistance by Part N
Другие транзисторы... UN4110S , UN4111 , UN4112 , UN4113 , UN4114 , UN4115Q , UN4115R , UN4115S , 2SD2499 , UN4116R , UN4116S , UN4117Q , UN4117R , UN4117S , UN4118 , UN4119 , UN411D .
History: KSE13006
History: KSE13006
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
tip42c | 2sc2240 | bc547 transistor equivalent | 2sa1943 | tip41c datasheet | mje15032 | tip32c datasheet | mje15032g


