UN4117R - описание и поиск аналогов

 

UN4117R - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: UN4117R
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 210
   Корпус транзистора: TO92S

 Аналоги (замена) для UN4117R

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UN4117R - технические параметры

 ..1. Size:180K  panasonic
 un4110q un4110r un4110s un4111 un4112 un4113 un4114 un4115q un4115r un4115s un4116q un4116r un4116s un4117q un4117r un4117s.pdf pdf_icon

UN4117R

Transistors with built-in Resistor UN4111/4112/4113/4114/4115/4116/4117/4118/ 4119/4110/411D/411E/411F/411H/411L Silicon PNP epitaxial planer transistor Unit mm For digital circuits 4.0 0.2 Features Costs can be reduced through downsizing of the equipment and reduction of the number of parts. New S type package, allowing supply with the radial taping. marking Resistance by Part N

Другие транзисторы... UN4114 , UN4115Q , UN4115R , UN4115S , UN4116Q , UN4116R , UN4116S , UN4117Q , 9014 , UN4117S , UN4118 , UN4119 , UN411D , UN411E , UN411F , UN411H , UN411L .

 

 
Back to Top

 


 
.