UN4117R datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: UN4117R  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 210

Корпус транзистора: TO92S

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для UN4117R

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UN4117R даташит

 ..1. Size:180K  panasonic
 un4110q un4110r un4110s un4111 un4112 un4113 un4114 un4115q un4115r un4115s un4116q un4116r un4116s un4117q un4117r un4117s.pdf pdf_icon

UN4117R

Transistors with built-in Resistor UN4111/4112/4113/4114/4115/4116/4117/4118/ 4119/4110/411D/411E/411F/411H/411L Silicon PNP epitaxial planer transistor Unit mm For digital circuits 4.0 0.2 Features Costs can be reduced through downsizing of the equipment and reduction of the number of parts. New S type package, allowing supply with the radial taping. marking Resistance by Part N

Другие транзисторы: UN4114, UN4115Q, UN4115R, UN4115S, UN4116Q, UN4116R, UN4116S, UN4117Q, 9014, UN4117S, UN4118, UN4119, UN411D, UN411E, UN411F, UN411H, UN411L