Справочник транзисторов. UN411E

 

Биполярный транзистор UN411E Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: UN411E
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 2.1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO92S
 

 Аналог (замена) для UN411E

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UN411E Datasheet (PDF)

 9.1. Size:180K  panasonic
 un4110q un4110r un4110s un4111 un4112 un4113 un4114 un4115q un4115r un4115s un4116q un4116r un4116s un4117q un4117r un4117s.pdf pdf_icon

UN411E

Transistors with built-in ResistorUN4111/4112/4113/4114/4115/4116/4117/4118/4119/4110/411D/411E/411F/411H/411LSilicon PNP epitaxial planer transistorUnit: mmFor digital circuits4.0 0.2FeaturesCosts can be reduced through downsizing of the equipment andreduction of the number of parts.New S type package, allowing supply with the radial taping.markingResistance by Part N

Другие транзисторы... UN4116R , UN4116S , UN4117Q , UN4117R , UN4117S , UN4118 , UN4119 , UN411D , 2N4401 , UN411F , UN411H , UN411L , UN4121 , UN4122 , UN4123 , UN4124 , UN412X .

 

 
Back to Top

 


 
.