Биполярный транзистор 2N5348 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N5348
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 250 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: TO59
2N5348 Datasheet (PDF)
2n5345.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 2N5345DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -280V(Min)CEO(SUS)High Switching SpeedHigh Current-Gain Bandwidth Product-: f = 60MHz(Min)@ I = -0.1AT CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high voltage switching and amplifierapplications.AB
2n5344.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistor 2N5344 DESCRIPTION High Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= -250V(Min) High Switching Speed High Current-Gain Bandwidth Product- : fT= 60MHz(Min)@ IC= -0.1A APPLICATIONS Designed for high voltage switching and amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050