UN611E - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: UN611E
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 2.1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: MT-1
UN611E Datasheet (PDF)
un6110q un6110r un6110s un6111 un6112 un6113 un6114 un6115q un6115r un6115s un6116q un6116r un6116s un6117q un6117r un6117s.pdf
Transistors with built-in Resistor UN6111/6112/6113/6114/6115/6116/6117/6118/ 6119/6110/611D/611E/611F/611H/611L Silicon PNP epitaxial planer transistor Unit mm For digital circuits 6.9 0.1 1.05 2.5 0.1 0.05 (1.45) 0.7 4.0 0.8 Features Costs can be reduced through downsizing of the equipment and reduction of the number of parts. 0.65 max. MT-1 type package, allowing supply
Другие транзисторы... UN6116R , UN6116S , UN6117Q , UN6117R , UN6117S , UN6118 , UN6119 , UN611D , TIP35C , UN611F , UN611H , UN611L , UN6121 , UN6122 , UN6123 , UN6124 , UN612X .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
ss8050 | irfp4668 | mpsa56 | c3205 transistor | tip35c datasheet | 2n5401 datasheet | mj21194g | irfz34n


