UN911E. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: UN911E
Маркировка: 6N
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 2.1
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.125 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60
Корпус транзистора: SS-MINI
Аналоги (замена) для UN911E
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
UN911E даташит
un9110q un9110r un9110s un9111 un9112 un9113 un9114 un9115q un9115r un9115s un9116q un9116r un9116s un9117q un9117r un9117s.pdf
Transistors with built-in Resistor UN9111/9112/9113/9114/9115/9116/9117/9118/9119/9110/ 911D/911E/911F/911H/911L/UNR911AJ/911BJ/911CJ Silicon PNP epitaxial planer transistor Unit mm For digital circuits 1.6 0.15 0.4 0.8 0.1 0.4 Features 1 Costs can be reduced through downsizing of the equipment and reduction of the number of parts. 3 SS-Mini type package, allowing automatic in
Другие транзисторы: UN9117R, UN9117S, UN9118, UN9119, UN911AJ, UN911BJ, UN911CJ, UN911D, 2N2222, UN911F, UN911H, UN911L, UN921N, UN9210Q, UN9210R, UN9210S, UN9211
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irf640 datasheet | c945 transistor equivalent | irfz44 datasheet | tip3055 transistor | irf530 datasheet | 2sc2625 | 2sc1815 transistor | 2sd718

