2N5367 - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор 2N5367 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: 2N5367
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: TO92

Аналоги (замена) для 2N5367

2N5367 Datasheet (PDF)

..1. Size:43K microelectronics
2n5367.pdf

..2. Size:1285K sprague
2n5306 2n5306a 2n5307 2n5308 2n5308a 2n5309 2n5310 2n5354 2n5355 2n5356 2n5365 2n5366 2n5367 2n5400 2n5401 2n5418.pdf

9.1. Size:60K fairchild semi
2n5366.pdf

2N5366PNP General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose amplifiers applications at collector currents to 300mA. Sourced from process 68.TO-9211. Emitter 2. Collector 3. Base Absolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 40 VVCBO Collector-Base Voltage 40 VVEBO Emitter-Base

9.2. Size:218K no
2n5365.pdf