ZTX312M datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: ZTX312M  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для ZTX312M

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

ZTX312M даташит

 9.1. Size:36K  diodes
 ztx314.pdf pdf_icon

ZTX312M

NPN SILICON PLANAR ZTX314 HIGH SPEED SWITCHING TRANSISTOR ISSUE 2 MARCH 94 T V I V T E-Line TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C unless otherwise stated). T I IT DITI II V V I I V I II i V V I I i i V I i V V I I

Другие транзисторы: ZTX310M, ZTX311, ZTX311K, ZTX311L, ZTX311M, ZTX312, ZTX312K, ZTX312L, BC327, ZTX313, ZTX313K, ZTX313L, ZTX313M, ZTX314, ZTX314K, ZTX314L, ZTX314M