Справочник транзисторов. ZTX326M

 

Биполярный транзистор ZTX326M - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: ZTX326M
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1000 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для ZTX326M

 

 

ZTX326M Datasheet (PDF)

 9.1. Size:54K  diodes
ztx320 ztx321 ztx322 ztx323.pdf

ZTX326M
ZTX326M

NPN SILICON PLANARZTX320 ZTX321HIGH SPEED SWITCHING TRANSISTORSZTX322 ZTX323ISSUE 3 APRIL 94 T V I V T I TI V i E-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT180 II V I V V II i V I V V i V I V V I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C). T I IT DITI II V I V V I I II i i i V I V V I I i

 9.2. Size:48K  diodes
ztx327.pdf

ZTX326M

NPN SILICON PLANAR R.F.ZTX327MEDIUM POWER TRANSISTORISSUE 2 MARCH 94E-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V VV V i V I V V i II I Di i i i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I T IT DITI II V V I I V I II i V V I I i i V I V I i V V I I V I II i

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top