ZTX327M datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: ZTX327M  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 18 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 63

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для ZTX327M

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

ZTX327M даташит

 8.1. Size:48K  diodes
 ztx327.pdf pdf_icon

ZTX327M

NPN SILICON PLANAR R.F. ZTX327 MEDIUM POWER TRANSISTOR ISSUE 2 MARCH 94 E-Line TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V V V i V I V V i II I Di i i i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C unless otherwise stated). T I T IT DITI II V V I I V I II i V V I I i i V I V I i V V I I V I II i

 9.1. Size:54K  diodes
 ztx320 ztx321 ztx322 ztx323.pdf pdf_icon

ZTX327M

NPN SILICON PLANAR ZTX320 ZTX321 HIGH SPEED SWITCHING TRANSISTORS ZTX322 ZTX323 ISSUE 3 APRIL 94 T V I V T I TI V i E-Line TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT 180 II V I V V II i V I V V i V I V V I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C). T I IT DITI II V I V V I I II i i i V I V V I I i

Другие транзисторы: ZTX325M, ZTX326, ZTX326K, ZTX326L, ZTX326M, ZTX327, ZTX327K, ZTX327L, D880, ZTX330, ZTX330K, ZTX330L, ZTX330M, ZTX331, ZTX331K, ZTX331M, ZTX337