Справочник транзисторов. 2N542

 

Биполярный транзистор 2N542 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2N542
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.025 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 18 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 130
   Корпус транзистора: TO5
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2N542 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:132K  mospec
2n5427-29 2n5430.pdfpdf_icon

2N542

AAA

 0.2. Size:17K  semelab
2n5428a.pdfpdf_icon

2N542

2N5428AMECHANICAL DATAMEDIUM POWERDimensions in mmNPN SILICONTRANSISTOR6.35 (0.250)8.64 (0.340)3.68(0.145) rad.3.61 (0.142)max.3.86 (0.145)rad.Designed for switching andwide - band amplifierapplications1.27 (0.050)4.83 (0.190) 1.91 (0.750)5.33 (0.210)9.14 (0.360)min.TO66 Package.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase=25C unless otherwise stated)VCEO Co

 0.4. Size:45K  inchange semiconductor
2n5429.pdfpdf_icon

2N542

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2N5429 DESCRIPTION Contunuous Collector Current-IC= 7A Low Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.2V(Max) @IC= 7A Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS Designed for switching and wide-band amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: STN715 | BFV80 | MJE344K | BC337 | 2N5151 | 2SA1295 | 2N5832

 

 
Back to Top

 


 
.