Справочник транзисторов. 2N5422

 

Биполярный транзистор 2N5422 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2N5422
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO39

 Аналоги (замена) для 2N5422

 

 

2N5422 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:132K  mospec
2n5427-29 2n5430.pdf

2N5422
2N5422

AAA

 9.2. Size:17K  semelab
2n5428a.pdf

2N5422
2N5422

2N5428AMECHANICAL DATAMEDIUM POWERDimensions in mmNPN SILICONTRANSISTOR6.35 (0.250)8.64 (0.340)3.68(0.145) rad.3.61 (0.142)max.3.86 (0.145)rad.Designed for switching andwide - band amplifierapplications1.27 (0.050)4.83 (0.190) 1.91 (0.750)5.33 (0.210)9.14 (0.360)min.TO66 Package.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase=25C unless otherwise stated)VCEO Co

 9.4. Size:45K  inchange semiconductor
2n5429.pdf

2N5422
2N5422

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2N5429 DESCRIPTION Contunuous Collector Current-IC= 7A Low Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.2V(Max) @IC= 7A Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS Designed for switching and wide-band amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE

 9.5. Size:45K  inchange semiconductor
2n5427.pdf

2N5422
2N5422

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2N5427 DESCRIPTION Contunuous Collector Current-IC= 7A Low Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.2V(Max) @IC= 7A Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS Designed for switching and wide-band amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE

 9.6. Size:45K  inchange semiconductor
2n5428.pdf

2N5422
2N5422

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2N5428 DESCRIPTION Contunuous Collector Current-IC= 7A Low Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.2V(Max) @IC= 7A Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS Designed for switching and wide-band amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

 

 
Back to Top