Справочник транзисторов. 2N5422

 

Биполярный транзистор 2N5422 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2N5422
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO39
 

 Аналог (замена) для 2N5422

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N5422 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:132K  mospec
2n5427-29 2n5430.pdfpdf_icon

2N5422

AAA

 9.2. Size:17K  semelab
2n5428a.pdfpdf_icon

2N5422

2N5428AMECHANICAL DATAMEDIUM POWERDimensions in mmNPN SILICONTRANSISTOR6.35 (0.250)8.64 (0.340)3.68(0.145) rad.3.61 (0.142)max.3.86 (0.145)rad.Designed for switching andwide - band amplifierapplications1.27 (0.050)4.83 (0.190) 1.91 (0.750)5.33 (0.210)9.14 (0.360)min.TO66 Package.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase=25C unless otherwise stated)VCEO Co

 9.4. Size:45K  inchange semiconductor
2n5429.pdfpdf_icon

2N5422

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2N5429 DESCRIPTION Contunuous Collector Current-IC= 7A Low Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.2V(Max) @IC= 7A Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS Designed for switching and wide-band amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE

Другие транзисторы... 2N5416CSM4 , 2N5417 , 2N5418 , 2N5419 , 2N541A , 2N542 , 2N5420 , 2N5421 , BC549 , 2N5423 , 2N5424 , 2N5424A , 2N5425 , 2N5426 , 2N5427 , 2N5428 , 2N5429 .

History: HSBD236 | 2N1963 | CSD1468S | BDX63B | 2SD2454 | 2N5919 | BDX64A

 

 
Back to Top

 


 
.