2N5422 - описание и поиск аналогов

 

2N5422. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N5422

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO39

 Аналоги (замена) для 2N5422

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N5422 даташит

 9.1. Size:132K  mospec
2n5427-29 2n5430.pdfpdf_icon

2N5422

A A A

 9.2. Size:17K  semelab
2n5428a.pdfpdf_icon

2N5422

2N5428A MECHANICAL DATA MEDIUM POWER Dimensions in mm NPN SILICON TRANSISTOR 6.35 (0.250) 8.64 (0.340) 3.68 (0.145) rad. 3.61 (0.142) max. 3.86 (0.145) rad. Designed for switching and wide - band amplifier applications 1.27 (0.050) 4.83 (0.190) 1.91 (0.750) 5.33 (0.210) 9.14 (0.360) min. TO66 Package. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase=25 C unless otherwise stated) VCEO Co

 9.4. Size:45K  inchange semiconductor
2n5429.pdfpdf_icon

2N5422

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2N5429 DESCRIPTION Contunuous Collector Current-IC= 7A Low Collector-Emitter Saturation Voltage- VCE(sat)= 1.2V(Max) @IC= 7A Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS Designed for switching and wide-band amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE

Другие транзисторы... 2N5416CSM4 , 2N5417 , 2N5418 , 2N5419 , 2N541A , 2N542 , 2N5420 , 2N5421 , 2SD669 , 2N5423 , 2N5424 , 2N5424A , 2N5425 , 2N5426 , 2N5427 , 2N5428 , 2N5429 .

History: BD201F | 2N5420 | 2N5421 | 2N3499

 

 

 


 
↑ Back to Top
.