ZTX849 - описание и поиск аналогов

 

ZTX849. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ZTX849

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 70 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 75 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для ZTX849

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

ZTX849 даташит

 ..1. Size:66K  diodes
 ztx849.pdf pdf_icon

ZTX849

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER ZTX849 HIGH CURRENT TRANSISTOR ISSUE 2 MARCH 94 T i V I i I I TI V D Ii I i i E-Line i V TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V 8 V V II i V I V V i V I V V I I i II I IT i I Di i i 8 Di i i T i T T T T i i i i i i i i I i I i i i ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb =

Другие транзисторы: ZTX758, ZTX788A, ZTX788B, ZTX789A, ZTX790A, ZTX792A, ZTX795A, ZTX796A, TIP42, ZTX851, ZTX853, ZTX855, ZTX857, ZTX869, ZTX948, ZTX949, ZTX951

 

 

 

 

↑ Back to Top
.