Биполярный транзистор BCV65 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BCV65
Маркировка: 97_97p
Тип материала: Si
Полярность: NPN*PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 75
Корпус транзистора: SOT143B
BCV65 Datasheet (PDF)
bcv65.pdf
BCV65NPN/PNP general-purpose transistorRev. 4 27 July 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN/PNP general-purpose transistor in a small SOT143B Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.1.2 Features and benefits Low current (max. 100 mA) Low voltage (max. 30 V) Matched pair AEC-Q101 qualified Small SMD plastic package1.3 Applications
bcv65 3.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D071BCV65NPN/PNP general purposetransistor1999 Apr 22Product specificationSupersedes data of 1997 Apr 22Philips Semiconductors Product specificationNPN/PNP general purpose transistor BCV65FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 30 V).1, 3 collector2 common baseAPPLICATIONS4 common e
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050