BCV65. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BCV65

Маркировка: 97_97p

Тип материала: Si

Полярность: NPN*PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 75

Корпус транзистора: SOT143B

 Аналоги (замена) для BCV65

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BCV65 даташит

 ..1. Size:254K  philips
 bcv65.pdf pdf_icon

BCV65

BCV65 NPN/PNP general-purpose transistor Rev. 4 27 July 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN/PNP general-purpose transistor in a small SOT143B Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 1.2 Features and benefits Low current (max. 100 mA) Low voltage (max. 30 V) Matched pair AEC-Q101 qualified Small SMD plastic package 1.3 Applications

 ..2. Size:48K  philips
 bcv65 3.pdf pdf_icon

BCV65

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D071 BCV65 NPN/PNP general purpose transistor 1999 Apr 22 Product specification Supersedes data of 1997 Apr 22 Philips Semiconductors Product specification NPN/PNP general purpose transistor BCV65 FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 30 V). 1, 3 collector 2 common base APPLICATIONS 4 common e

Другие транзисторы: 2PC4081, 2PC4617, 2PC4617J, 2PC945, 2PD1820A, BCV63B, BCV63, BCV64B, MPSA42, BDL31, BDL32, BDP31, BDP32, BFE505, BFE520, BFG10, BFG10W-X