Биполярный транзистор BDL32 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BDL32
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.35 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 150 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: SOT223
BDL32 Datasheet (PDF)
..1. Size:48K philips
bdl32 4.pdf
bdl32 4.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETok, halfpageM3D087BDL32PNP BISS-transistorProduct specification 1999 Apr 29Supersedes data of 1998 Aug 03Philips Semiconductors Product specificationPNP BISS-transistor BDL32FEATURES PINNING High current (max. 5 A)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 10 V)1 base Low collector-emitter saturation voltage ensures2 not connecte
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050