Справочник транзисторов. BDL32

 

Биполярный транзистор BDL32 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BDL32
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.35 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 150 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: SOT223
 

 Аналог (замена) для BDL32

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDL32 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:48K  philips
 bdl32 4.pdf pdf_icon

BDL32

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETok, halfpageM3D087BDL32PNP BISS-transistorProduct specification 1999 Apr 29Supersedes data of 1998 Aug 03Philips Semiconductors Product specificationPNP BISS-transistor BDL32FEATURES PINNING High current (max. 5 A)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 10 V)1 base Low collector-emitter saturation voltage ensures2 not connecte

Другие транзисторы... 2PC4617J , 2PC945 , 2PD1820A , BCV63B , BCV63 , BCV64B , BCV65 , BDL31 , TIP32C , BDP31 , BDP32 , BFE505 , BFE520 , BFG10 , BFG10W-X , BFG11 , BFG11-X .

History: 40310V1 | KTC2347

 

 
Back to Top

 


 
.