BDL32. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BDL32

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 150 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: SOT223

 Аналоги (замена) для BDL32

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDL32 даташит

 ..1. Size:48K  philips
 bdl32 4.pdf pdf_icon

BDL32

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET ok, halfpage M3D087 BDL32 PNP BISS-transistor Product specification 1999 Apr 29 Supersedes data of 1998 Aug 03 Philips Semiconductors Product specification PNP BISS-transistor BDL32 FEATURES PINNING High current (max. 5 A) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 10 V) 1 base Low collector-emitter saturation voltage ensures 2 not connecte

Другие транзисторы: 2PC4617J, 2PC945, 2PD1820A, BCV63B, BCV63, BCV64B, BCV65, BDL31, 431, BDP31, BDP32, BFE505, BFE520, BFG10, BFG10W-X, BFG11, BFG11-X