BFE520. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BFE520

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 8 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: SOT353

 Аналоги (замена) для BFE520

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFE520 даташит

 ..1. Size:42K  philips
 bfe520 2.pdf pdf_icon

BFE520

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFE520 NPN wideband differential transistor 1996 Oct 08 Product specification Supersedes data of 1995 Sep 04 File under Discrete Semiconductors, SC14 Philips Semiconductors Product specification NPN wideband differential transistor BFE520 FEATURES PINNING - SOT353B Small size PIN SYMBOL DESCRIPTION High power gain at low bias current and

Другие транзисторы: BCV63, BCV64B, BCV65, BDL31, BDL32, BDP31, BDP32, BFE505, D882P, BFG10, BFG10W-X, BFG11, BFG11-X, BFG11W-X, BFG21W, 2SB1366F-O, BFG31