Справочник транзисторов. BFE520

 

Биполярный транзистор BFE520 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BFE520
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 8 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9000 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.4 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: SOT353
 

 Аналог (замена) для BFE520

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFE520 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:42K  philips
 bfe520 2.pdf pdf_icon

BFE520

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBFE520NPN wideband differentialtransistor1996 Oct 08Product specificationSupersedes data of 1995 Sep 04File under Discrete Semiconductors, SC14Philips Semiconductors Product specificationNPN wideband differential transistor BFE520FEATURES PINNING - SOT353B Small sizePIN SYMBOL DESCRIPTION High power gain at low bias current and

Другие транзисторы... BCV63 , BCV64B , BCV65 , BDL31 , BDL32 , BDP31 , BDP32 , BFE505 , TIP36C , BFG10 , BFG10W-X , BFG11 , BFG11-X , BFG11W-X , BFG21W , 2SB1366F-O , BFG31 .

History: 2SC4360 | CMLT491E | 2SA478 | MMBT5401-HAF | HEPS5025 | KT342VM

 

 
Back to Top

 


 
.