Справочник транзисторов. BFE520

 

Биполярный транзистор BFE520 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BFE520
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 8 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9000 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.4 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: SOT353
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BFE520 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:42K  philips
 bfe520 2.pdf pdf_icon

BFE520

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBFE520NPN wideband differentialtransistor1996 Oct 08Product specificationSupersedes data of 1995 Sep 04File under Discrete Semiconductors, SC14Philips Semiconductors Product specificationNPN wideband differential transistor BFE520FEATURES PINNING - SOT353B Small sizePIN SYMBOL DESCRIPTION High power gain at low bias current and

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: MRF328 | BFG520-X | UMA7N | PN835 | 2SC3941 | 2SC3601D

 

 
Back to Top

 


 
.