BFG10 - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор BFG10 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: BFG10
   Маркировка: N70
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 8 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.25 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: SOT143

Аналоги (замена) для BFG10

BFG10 Datasheet (PDF)

..1. Size:59K philips
bfg10 bfg10x 4.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBFG10; BFG10/XNPN 2 GHz RF power transistor1995 Aug 31Product specificationSupersedes data of 1995 Mar 07File under Discrete Semiconductors, SC14Philips Semiconductors Product specificationNPN 2 GHz RF power transistor BFG10; BFG10/XFEATURES PINNING High power gainPIN DESCRIPTION High efficiencyBFG10 (see Fig.1)handbook, 2 co

0.1. Size:257K philips
bfg10x n.pdf

BFG10; BFG10/XNPN 2 GHz RF power transistorRev. 05 22 November 2007 Product data sheetIMPORTANT NOTICEDear customer,As from October 1st, 2006 Philips Semiconductors has a new trade name- NXP Semiconductors, which will be used in future data sheets together with new contactdetails.In data sheets where the previous Philips references remain, please use the new links asshown

0.2. Size:240K philips
bfg10wx.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETBFG10W/XUHF power transistorProduct specification 1995 Sep 22NXP Semiconductors Product specificationUHF power transistor BFG10W/XFEATURES DESCRIPTION High efficiency NPN silicon planar epitaxial transistor encapsulated in a plastic, 4-pin Small size discrete power amplifier lfpage4 3dual-emitter SOT343N package. 900 MHz an

0.3. Size:48K philips
bfg10wx 1.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBFG10W/XUHF power transistor1995 Sep 22Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC14Philips Semiconductors Product specificationUHF power transistor BFG10W/XFEATURES DESCRIPTION High efficiency NPN silicon planar epitaxial transistorencapsulated in a plastic, 4-pinfpage Small size discrete power amplifier 4 3dua

0.4. Size:240K nxp
bfg10wx.pdf