BFG31. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BFG31

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: SOT223

 Аналоги (замена) для BFG31

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFG31 даташит

 ..1. Size:209K  philips
bfg31.pdfpdf_icon

BFG31

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFG31 PNP 5 GHz wideband transistor Product specification 1995 Sep 12 Supersedes data of November 1992 NXP Semiconductors Product specification PNP 5 GHz wideband transistor BFG31 FEATURES PINNING lfpage 4 High output voltage capability PIN DESCRIPTION High gain bandwidth product 1 emitter Good thermal stability 2 base Gold

 ..2. Size:41K  philips
bfg31 2.pdfpdf_icon

BFG31

 0.1. Size:74K  philips
bfg310 xr.pdfpdf_icon

BFG31

BFG310/XR NPN 14 GHz wideband transistor Rev. 01 2 February 2005 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN silicon planar epitaxial transistor in a 4-pin dual-emitter SOT143R plastic package. 1.2 Features High power gain Low noise figure High transition frequency Gold metallization ensures excellent reliability 1.3 Applications Intended for Radio Fre

 0.2. Size:75K  philips
bfg310w xr.pdfpdf_icon

BFG31

BFG310W/XR NPN 14 GHz wideband transistor Rev. 01 2 February 2005 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN silicon planar epitaxial transistor in a 4-pin dual-emitter SOT343R plastic package. 1.2 Features High power gain Low noise figure High transition frequency Gold metallization ensures excellent reliability 1.3 Applications Intended for Radio Fr

Другие транзисторы: BFE520, BFG10, BFG10W-X, BFG11, BFG11-X, BFG11W-X, BFG21W, 2SB1366F-O, BD222, BFG403W, BFG425W, BFG505, BFG505W, BFG520, BFG520W, BFG590, BFG590W