Справочник транзисторов. BFG31

 

Биполярный транзистор BFG31 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BFG31
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5000 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: SOT223
 

 Аналог (замена) для BFG31

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFG31 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:209K  philips
bfg31.pdfpdf_icon

BFG31

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETBFG31PNP 5 GHz wideband transistorProduct specification 1995 Sep 12Supersedes data of November 1992NXP Semiconductors Product specificationPNP 5 GHz wideband transistor BFG31FEATURES PINNINGlfpage4 High output voltage capabilityPIN DESCRIPTION High gain bandwidth product1 emitter Good thermal stability2 base Gold

 ..2. Size:41K  philips
bfg31 2.pdfpdf_icon

BFG31

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBFG31PNP 5 GHz wideband transistor1995 Sep 12Product specificationSupersedes data of November 1992File under Discrete Semiconductors, SC14Philips Semiconductors Product specificationPNP 5 GHz wideband transistor BFG31FEATURES PINNING High output voltage capabilityPIN DESCRIPTIONpage4 High gain bandwidth product1 emitter

 0.1. Size:74K  philips
bfg310 xr.pdfpdf_icon

BFG31

BFG310/XRNPN 14 GHz wideband transistorRev. 01 2 February 2005 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN silicon planar epitaxial transistor in a 4-pin dual-emitter SOT143R plastic package.1.2 Features High power gain Low noise figure High transition frequency Gold metallization ensures excellent reliability1.3 Applications Intended for Radio Fre

 0.2. Size:75K  philips
bfg310w xr.pdfpdf_icon

BFG31

BFG310W/XRNPN 14 GHz wideband transistorRev. 01 2 February 2005 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN silicon planar epitaxial transistor in a 4-pin dual-emitter SOT343R plastic package.1.2 Features High power gain Low noise figure High transition frequency Gold metallization ensures excellent reliability1.3 Applications Intended for Radio Fr

Другие транзисторы... BFE520 , BFG10 , BFG10W-X , BFG11 , BFG11-X , BFG11W-X , BFG21W , 2SB1366F-O , 2SC5200 , BFG403W , BFG425W , BFG505 , BFG505W , BFG520 , BFG520W , BFG590 , BFG590W .

History: MPSA55 | UN5216Q | CPS2515B

 

 
Back to Top

 


 
.