Биполярный транзистор BFG590W - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BFG590W
Маркировка: T1
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5000 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: SOT343N
BFG590W Datasheet (PDF)
bfg590w bfg590wx 3.pdf
DATA SHEETbook, halfpageM3D123BFG590W; BFG590W/XNPN 5 GHz wideband transistors1998 Oct 15Product specificationSupersedes data of August 1995Philips Semiconductors Product specificationNPN 5 GHz wideband transistors BFG590W; BFG590W/XFEATURES DESCRIPTION High power gain NPN silicon planar epitaxial transistorin a 4-pin dual-emitter SOT343N Low noise figurepage
bfg590 bfg590x 3.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D071BFG590; BFG590/XNPN 5 GHz wideband transistorsProduct specification 1998 Oct 02Supersedes data of 1995 Sep 19Philips Semiconductors Product specificationNPN 5 GHz wideband transistors BFG590; BFG590/XFEATURES PINNING High power gainDESCRIPTIONPIN Low noise figureBFG590 BFG590/X High transition frequen
bfg591 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBFG591NPN 7 GHz wideband transistor1995 Sep 04Product specificationSupersedes data of November 1992File under Discrete Semiconductors, SC14Philips Semiconductors Product specificationNPN 7 GHz wideband transistor BFG591FEATURES DESCRIPTIONfpage4 High power gain NPN silicon planar epitaxial transistorin a plastic, 4-pin SOT223 pack
bfg591.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETBFG591NPN 7 GHz wideband transistorProduct specification 1995 Sep 04Supersedes data of November 1992NXP Semiconductors Product specificationNPN 7 GHz wideband transistor BFG591FEATURES DESCRIPTIONlfpage4 High power gain NPN silicon planar epitaxial transistor in a plastic, 4-pin SOT223 package. Low noise figure High transi
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , BD777 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050