BFG590W. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BFG590W
Маркировка: T1
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5000 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60
Корпус транзистора: SOT343N
Аналоги (замена) для BFG590W
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BFG590W даташит
bfg590w bfg590wx 3.pdf
DATA SHEET book, halfpage M3D123 BFG590W; BFG590W/X NPN 5 GHz wideband transistors 1998 Oct 15 Product specification Supersedes data of August 1995 Philips Semiconductors Product specification NPN 5 GHz wideband transistors BFG590W; BFG590W/X FEATURES DESCRIPTION High power gain NPN silicon planar epitaxial transistor in a 4-pin dual-emitter SOT343N Low noise figure page
bfg590 bfg590x 3.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D071 BFG590; BFG590/X NPN 5 GHz wideband transistors Product specification 1998 Oct 02 Supersedes data of 1995 Sep 19 Philips Semiconductors Product specification NPN 5 GHz wideband transistors BFG590; BFG590/X FEATURES PINNING High power gain DESCRIPTION PIN Low noise figure BFG590 BFG590/X High transition frequen
bfg591 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFG591 NPN 7 GHz wideband transistor 1995 Sep 04 Product specification Supersedes data of November 1992 File under Discrete Semiconductors, SC14 Philips Semiconductors Product specification NPN 7 GHz wideband transistor BFG591 FEATURES DESCRIPTION fpage 4 High power gain NPN silicon planar epitaxial transistor in a plastic, 4-pin SOT223 pack
bfg591.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFG591 NPN 7 GHz wideband transistor Product specification 1995 Sep 04 Supersedes data of November 1992 NXP Semiconductors Product specification NPN 7 GHz wideband transistor BFG591 FEATURES DESCRIPTION lfpage 4 High power gain NPN silicon planar epitaxial transistor in a plastic, 4-pin SOT223 package. Low noise figure High transi
Другие транзисторы: BFG31, BFG403W, BFG425W, BFG505, BFG505W, BFG520, BFG520W, BFG590, C945, BFG591, BFG480W, BFM505, BFM520, BFQ131, BFQ151, BFQ166, BFQ256
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
ksa1381 replacement | m3056m mosfet | skd502t mosfet | tip 35 transistor | bu2508df | 2n2222a transistor equivalent | 2sc2509 | 2n1815




