BFG590W - описание и поиск аналогов

 

BFG590W. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BFG590W

Маркировка: T1

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5000 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: SOT343N

 Аналоги (замена) для BFG590W

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFG590W даташит

 ..1. Size:90K  philips
bfg590w bfg590wx 3.pdfpdf_icon

BFG590W

DATA SHEET book, halfpage M3D123 BFG590W; BFG590W/X NPN 5 GHz wideband transistors 1998 Oct 15 Product specification Supersedes data of August 1995 Philips Semiconductors Product specification NPN 5 GHz wideband transistors BFG590W; BFG590W/X FEATURES DESCRIPTION High power gain NPN silicon planar epitaxial transistor in a 4-pin dual-emitter SOT343N Low noise figure page

 8.1. Size:87K  philips
bfg590 bfg590x 3.pdfpdf_icon

BFG590W

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D071 BFG590; BFG590/X NPN 5 GHz wideband transistors Product specification 1998 Oct 02 Supersedes data of 1995 Sep 19 Philips Semiconductors Product specification NPN 5 GHz wideband transistors BFG590; BFG590/X FEATURES PINNING High power gain DESCRIPTION PIN Low noise figure BFG590 BFG590/X High transition frequen

 9.1. Size:76K  philips
bfg591 2.pdfpdf_icon

BFG590W

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFG591 NPN 7 GHz wideband transistor 1995 Sep 04 Product specification Supersedes data of November 1992 File under Discrete Semiconductors, SC14 Philips Semiconductors Product specification NPN 7 GHz wideband transistor BFG591 FEATURES DESCRIPTION fpage 4 High power gain NPN silicon planar epitaxial transistor in a plastic, 4-pin SOT223 pack

 9.2. Size:314K  philips
bfg591.pdfpdf_icon

BFG590W

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFG591 NPN 7 GHz wideband transistor Product specification 1995 Sep 04 Supersedes data of November 1992 NXP Semiconductors Product specification NPN 7 GHz wideband transistor BFG591 FEATURES DESCRIPTION lfpage 4 High power gain NPN silicon planar epitaxial transistor in a plastic, 4-pin SOT223 package. Low noise figure High transi

Другие транзисторы: BFG31, BFG403W, BFG425W, BFG505, BFG505W, BFG520, BFG520W, BFG590, C945, BFG591, BFG480W, BFM505, BFM520, BFQ131, BFQ151, BFQ166, BFQ256

 

 

 

 

↑ Back to Top
.