Справочник транзисторов. BFG591

 

Биполярный транзистор BFG591 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BFG591
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7000 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: SOT223
 

 Аналог (замена) для BFG591

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFG591 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:76K  philips
 bfg591 2.pdf pdf_icon

BFG591

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBFG591NPN 7 GHz wideband transistor1995 Sep 04Product specificationSupersedes data of November 1992File under Discrete Semiconductors, SC14Philips Semiconductors Product specificationNPN 7 GHz wideband transistor BFG591FEATURES DESCRIPTIONfpage4 High power gain NPN silicon planar epitaxial transistorin a plastic, 4-pin SOT223 pack

 ..2. Size:314K  philips
 bfg591.pdf pdf_icon

BFG591

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETBFG591NPN 7 GHz wideband transistorProduct specification 1995 Sep 04Supersedes data of November 1992NXP Semiconductors Product specificationNPN 7 GHz wideband transistor BFG591FEATURES DESCRIPTIONlfpage4 High power gain NPN silicon planar epitaxial transistor in a plastic, 4-pin SOT223 package. Low noise figure High transi

 9.1. Size:87K  philips
 bfg590 bfg590x 3.pdf pdf_icon

BFG591

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D071BFG590; BFG590/XNPN 5 GHz wideband transistorsProduct specification 1998 Oct 02Supersedes data of 1995 Sep 19Philips Semiconductors Product specificationNPN 5 GHz wideband transistors BFG590; BFG590/XFEATURES PINNING High power gainDESCRIPTIONPIN Low noise figureBFG590 BFG590/X High transition frequen

 9.2. Size:90K  philips
 bfg590w bfg590wx 3.pdf pdf_icon

BFG591

DATA SHEETbook, halfpageM3D123BFG590W; BFG590W/XNPN 5 GHz wideband transistors1998 Oct 15Product specificationSupersedes data of August 1995Philips Semiconductors Product specificationNPN 5 GHz wideband transistors BFG590W; BFG590W/XFEATURES DESCRIPTION High power gain NPN silicon planar epitaxial transistorin a 4-pin dual-emitter SOT343N Low noise figurepage

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... BFG403W , BFG425W , BFG505 , BFG505W , BFG520 , BFG520W , BFG590 , BFG590W , 2N2222 , BFG480W , BFM505 , BFM520 , BFQ131 , BFQ151 , BFQ166 , BFQ256 , BFQ256A .

History: SFT8200 | 2SB82

 

 
Back to Top

 


 
.