BFG480W. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BFG480W
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 14.5 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 4.5 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.25 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 23000 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40
Корпус транзистора: SOT343R
Аналоги (замена) для BFG480W
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BFG480W даташит
bfg480w 900mdrv.pdf
H Philips Semiconductors B.V. Report nr. RNR-45-98-B-0703 Author T.F. Buss / J.Bouwman Date 28-10-1998 Department Development DSC-N 900 MHz Driver with the BFG480W Abstract This application note contains an example of a driver, designed for a frequency f=900MHz. At f=900 MHz The output power Pout 11dBm, the Noise Figure NF 3.2dB, the Gain S21 16dB and the OIP3 25
bfg480w 1880drv.pdf
Philips Semiconductors 1880 MHz PA Driver with BFG480W 1880 MHz PA Driver with BFG480W Application Note JL-9902v0 Author Jarek Lucek June 1, 1999 Discrete Semiconductors - Mansfield 171 Forbes Blvd. Mansfield, MA 02048 Abstract BFG480W, the new 5th generation transistor from Philips Semiconductors, is well suited for PA driver applications in AMPS, TDMA, CDMA and GSM systems. BFG80W
bfg480w n 21.pdf
Philips Semiconductors Preliminary specification NPN wideband transistor BFG480W FEATURES PINNING High power gain PIN DESCRIPTION High efficiency 1 emitter Low noise figure 2 base High transition frequency 3 emitter Emitter is thermal lead 4 collector Low feedback capacitance Linear and non-linear operation. APPLICATIONS 34 handbook, halfpage RF
bfg480w.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D124 BFG480W NPN wideband transistor Product specification 1998 Oct 21 Supersedes data of 1998 Jul 09 NXP Semiconductors Product specification NPN wideband transistor BFG480W FEATURES PINNING High power gain PIN DESCRIPTION High efficiency 1emitter Low noise figure 2base High transition frequency 3emitter Emitter is t
Другие транзисторы: BFG425W, BFG505, BFG505W, BFG520, BFG520W, BFG590, BFG590W, BFG591, 2N5401, BFM505, BFM520, BFQ131, BFQ151, BFQ166, BFQ256, BFQ256A, BFR520
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
skd502t mosfet | tip 35 transistor | bu2508df | 2n2222a transistor equivalent | 2sc2509 | 2n1815 | 2sa1103 | 2sb435




