Справочник транзисторов. BLS3135-65

 

Биполярный транзистор BLS3135-65 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BLS3135-65
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 75 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: SOT422A
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BLS3135-65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:74K  philips
 bls3135-65 2.pdf pdf_icon

BLS3135-65

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D259BLS3135-65Microwave power transistorProduct specification 1999 Aug 16Supersedes data of 1999 May 01Philips Semiconductors Product specificationMicrowave power transistor BLS3135-65FEATURES PINNING - SOT422A Suitable for short and medium pulse applicationsPIN DESCRIPTION Internal input and output matching netwo

 6.1. Size:72K  philips
 bls3135-20 1.pdf pdf_icon

BLS3135-65

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEET halfpageM3D259BLS3135-20Microwave power transistorProduct specification 2000 Feb 01Philips Semiconductors Product specificationMicrowave power transistor BLS3135-20FEATURES PINNING - SOT422A Suitable for short and medium pulse applicationsPIN DESCRIPTION Internal input and output matching networks for an easy1 collectorcircuit

 6.2. Size:67K  philips
 bls3135-50 2.pdf pdf_icon

BLS3135-65

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D259BLS3135-50Microwave power transistorProduct specification 1999 Aug 16Supersedes data of 1998 Apr 06Philips Semiconductors Product specificationMicrowave power transistor BLS3135-50FEATURES PINNING - SOT422A Suitable for short and medium pulse applicationsPIN DESCRIPTION Internal input and output matching netwo

 6.3. Size:72K  philips
 bls3135-10 1.pdf pdf_icon

BLS3135-65

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D324BLS3135-10Microwave power transistorProduct specification 2000 Feb 01Philips Semiconductors Product specificationMicrowave power transistor BLS3135-10FEATURES PINNING - SOT445C Suitable for short and medium pulse applicationsPIN DESCRIPTION Internal input and output matching networks for an easy1 collectorcircuit design2

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: SEMZ8 | KRA108S

 

 
Back to Top

 


 
.