BLT71-8 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BLT71-8  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.9 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 16 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 8 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: SOT96-1

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BLT71-8

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLT71-8 даташит

 9.1. Size:107K  philips
 blt71.pdf pdf_icon

BLT71-8

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D315 BLT71/8 UHF power transistor 1997 Oct 14 Product specification Supersedes data of 1996 Feb 06 Philips Semiconductors Product specification UHF power transistor BLT71/8 FEATURES PINNING - SOT96-1 High efficiency PIN SYMBOL DESCRIPTION Very high gain 1, 8 b base Internal pre-matched input 2, 4, 5, 7 e emitter Low supply v

Другие транзисторы: BLS3135-20, BLS3135-50, BLS3135-65, BLT13, BLT52, BLT53, BLT61, BLT70, BC327, BLT81, BLT82, BLT94, BLU11-SL, BLU56, BLU86, BLV12, BLV193