Биполярный транзистор BLT71-8 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BLT71-8
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.9 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 16 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 8 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
Корпус транзистора: SOT96-1
BLT71-8 Datasheet (PDF)
9.1. Size:107K philips
blt71.pdf
blt71.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D315BLT71/8UHF power transistor1997 Oct 14Product specificationSupersedes data of 1996 Feb 06Philips Semiconductors Product specificationUHF power transistor BLT71/8FEATURES PINNING - SOT96-1 High efficiencyPIN SYMBOL DESCRIPTION Very high gain1, 8 b base Internal pre-matched input2, 4, 5, 7 e emitter Low supply v
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , BD777 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050