Справочник транзисторов. BLV58

 

Биполярный транзистор BLV58 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: BLV58
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 87 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 27 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 36 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: SOT289A

 Аналоги (замена) для BLV58

 

 

BLV58 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:84K  philips
blv58.pdf

BLV58
BLV58

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV58UHF linear push-pull powertransistorSeptember 1991Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationUHF linear push-pull power transistor BLV58FEATURES QUICK REFERENCE DATARF performance at Th = 25 C in a common emitter test circuit. High power gain Double stage internal input dimMODE OF fvision VCE ICQ Po s

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

 

 
Back to Top