BLV58. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BLV58
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 87 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 27 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 36 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30
Корпус транзистора: SOT289A
Аналоги (замена) для BLV58
- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам
BLV58 даташит
blv58.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLV58 UHF linear push-pull power transistor September 1991 Product specification Philips Semiconductors Product specification UHF linear push-pull power transistor BLV58 FEATURES QUICK REFERENCE DATA RF performance at Th = 25 C in a common emitter test circuit. High power gain Double stage internal input dim MODE OF fvision VCE ICQ Po s
Другие транзисторы... BLT82 , BLT94 , BLU11-SL , BLU56 , BLU86 , BLV12 , BLV193 , BLV194 , BC546 , BLV857 , BLV859 , BLV861 , BLV862 , BLV897 , BLW30 , BLW97 , BRY39 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
k389 transistor | mje15032g equivalent | nsd134 | 60r190p datasheet | cs30n20 datasheet | go42n10 | 2sa970 datasheet | 2sc1627

