Биполярный транзистор BLV897 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BLV897
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 97 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 18 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: SOT324B
BLV897 Datasheet (PDF)
..1. Size:81K philips
blv897.pdf
blv897.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV897UHF push-pull power transistor1997 Nov 10Preliminary specificationSupersedes data of 1997 Oct 03Philips Semiconductors Preliminary specificationUHF push-pull power transistor BLV897FEATURES PINNING - SOT324B Internal input matching for an optimum widebandPIN SYMBOL DESCRIPTIONcapability and high gain1 c1 collector 1 Polys
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050