Справочник транзисторов. BLV897

 

Биполярный транзистор BLV897 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BLV897
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 97 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 18 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: SOT324B
 

 Аналог (замена) для BLV897

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLV897 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:81K  philips
 blv897.pdf pdf_icon

BLV897

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV897UHF push-pull power transistor1997 Nov 10Preliminary specificationSupersedes data of 1997 Oct 03Philips Semiconductors Preliminary specificationUHF push-pull power transistor BLV897FEATURES PINNING - SOT324B Internal input matching for an optimum widebandPIN SYMBOL DESCRIPTIONcapability and high gain1 c1 collector 1 Polys

Другие транзисторы... BLV12 , BLV193 , BLV194 , BLV58 , BLV857 , BLV859 , BLV861 , BLV862 , 2SD2499 , BLW30 , BLW97 , BRY39 , BRY56 , BRY56A , BRY61 , BRY62 , BU1506DX .

History: ZHB6790

 

 
Back to Top

 


 
.