BLV897 - описание и поиск аналогов

 

BLV897. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLV897

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 97 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 18 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: SOT324B

 Аналоги (замена) для BLV897

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLV897 даташит

 ..1. Size:81K  philips
 blv897.pdf pdf_icon

BLV897

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLV897 UHF push-pull power transistor 1997 Nov 10 Preliminary specification Supersedes data of 1997 Oct 03 Philips Semiconductors Preliminary specification UHF push-pull power transistor BLV897 FEATURES PINNING - SOT324B Internal input matching for an optimum wideband PIN SYMBOL DESCRIPTION capability and high gain 1 c1 collector 1 Polys

Другие транзисторы: BLV12, BLV193, BLV194, BLV58, BLV857, BLV859, BLV861, BLV862, TIP31, BLW30, BLW97, BRY39, BRY56, BRY56A, BRY61, BRY62, BU1506DX

 

 

 

 

↑ Back to Top
.