BLW97 - описание и поиск аналогов

 

BLW97. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLW97

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 190 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 33 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 230 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 380 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: SOT121B

 Аналоги (замена) для BLW97

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLW97 даташит

 ..1. Size:61K  philips
 blw97.pdf pdf_icon

BLW97

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLW97 HF power transistor August 1986 Product specification Philips Semiconductors Product specification HF power transistor BLW97 severe load-mismatch conditions. All DESCRIPTION leads are isolated from the flange. N-P-N silicon planar epitaxial The transistors are supplied in transistor designed for use in class-A, matched hFE groups. AB and

Другие транзисторы: BLV194, BLV58, BLV857, BLV859, BLV861, BLV862, BLV897, BLW30, 2SD313, BRY39, BRY56, BRY56A, BRY61, BRY62, BU1506DX, BU1507AX, BU1507DX

 

 

 

 

↑ Back to Top
.