Справочник транзисторов. BLW97

 

Биполярный транзистор BLW97 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BLW97
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 190 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 33 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 230 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 380 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: SOT121B
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BLW97 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:61K  philips
 blw97.pdf pdf_icon

BLW97

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLW97HF power transistorAugust 1986Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationHF power transistor BLW97severe load-mismatch conditions. AllDESCRIPTIONleads are isolated from the flange.N-P-N silicon planar epitaxialThe transistors are supplied intransistor designed for use in class-A,matched hFE groups.AB and

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: NSVBC848BWT1G | 2SB1188K | KN4L3M | D33J24 | FCX705 | MPS5401R | KT8121A-2

 

 
Back to Top

 


 
.