BU1506DX - описание и поиск аналогов

 

BU1506DX. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU1506DX

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 32 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 13.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 47 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 12

Корпус транзистора: SOT186A

 Аналоги (замена) для BU1506DX

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU1506DX даташит

 ..1. Size:53K  philips
bu1506dx.pdfpdf_icon

BU1506DX

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU1506DX GENERAL DESCRIPTION Enhanced performance, new generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor with an integrated damper diode in a plastic full-pack envelope intended for use in horizontal deflection circuits of colour television receivers. Features exceptional tolerance to base drive an

 ..2. Size:209K  inchange semiconductor
bu1506dx.pdfpdf_icon

BU1506DX

isc Silicon NPN Power Transistor BU1506DX DESCRIPTION High Voltage High Speed Switching Built-in Damper Diode Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection circuits of color TV receivers. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage V =

 7.1. Size:215K  inchange semiconductor
bu1506df.pdfpdf_icon

BU1506DX

isc Silicon NPN Power Transistor BU1506DF DESCRIPTION High Voltage High Speed Switching Built-in Damper Diode Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection circuits of color TV receivers. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage V =

 9.1. Size:46K  philips
bu1507dx.pdfpdf_icon

BU1506DX

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU1507DX GENERAL DESCRIPTION Enhanced performance, new generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor with an integrated damper diode in a plastic full-pack envelope intended for use in horizontal deflection circuits of colour television receivers and computer monitors. Features exceptional tole

Другие транзисторы: BLV897, BLW30, BLW97, BRY39, BRY56, BRY56A, BRY61, BRY62, TIP42, BU1507AX, BU1507DX, BU2507DF, BU2515AF, BU2515DF, BU2522DF, BU2522DX, BU2523DF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.