Справочник транзисторов. BU1506DX

 

Биполярный транзистор BU1506DX Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BU1506DX
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 32 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 13.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 47 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 12
   Корпус транзистора: SOT186A
 

 Аналог (замена) для BU1506DX

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU1506DX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:53K  philips
bu1506dx.pdfpdf_icon

BU1506DX

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU1506DX GENERAL DESCRIPTIONEnhanced performance, new generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor with an integrateddamper diode in a plastic full-pack envelope intended for use in horizontal deflection circuits of colour televisionreceivers. Features exceptional tolerance to base drive an

 ..2. Size:209K  inchange semiconductor
bu1506dx.pdfpdf_icon

BU1506DX

isc Silicon NPN Power Transistor BU1506DXDESCRIPTIONHigh VoltageHigh Speed SwitchingBuilt-in Damper DiodeMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in horizontal deflection circuits ofcolor TV receivers.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage V =

 7.1. Size:215K  inchange semiconductor
bu1506df.pdfpdf_icon

BU1506DX

isc Silicon NPN Power Transistor BU1506DFDESCRIPTIONHigh VoltageHigh Speed SwitchingBuilt-in Damper DiodeMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in horizontal deflection circuits ofcolor TV receivers.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage V =

 9.1. Size:46K  philips
bu1507dx.pdfpdf_icon

BU1506DX

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU1507DX GENERAL DESCRIPTIONEnhanced performance, new generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor with an integrateddamper diode in a plastic full-pack envelope intended for use in horizontal deflection circuits of colour televisionreceivers and computer monitors. Features exceptional tole

Другие транзисторы... BLV897 , BLW30 , BLW97 , BRY39 , BRY56 , BRY56A , BRY61 , BRY62 , TIP127 , BU1507AX , BU1507DX , BU2507DF , BU2515AF , BU2515DF , BU2522DF , BU2522DX , BU2523DF .

 

 
Back to Top

 


 
.