BU2507DF. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BU2507DF
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 13.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 68 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 14
Корпус транзистора: SOT199
Аналоги (замена) для BU2507DF
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BU2507DF даташит
bu2507df.pdf
Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2507DF GENERAL DESCRIPTION Enhanced performance, new generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor with an integrated damper diode in a plastic full-pack envelope intended for use in horizontal deflection circuits of colour television receivers and computer monitors. Features exceptional tole
bu2507df.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BU2507DF DESCRIPTION High Switching Speed High Voltage Built-in Ddamper Ddiode Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection circuits of coluor TV receivers and computer monitors. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V C
bu2507dx.pdf
Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2507DX GENERAL DESCRIPTION Enhanced performance, new generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor with an integrated damper diode in a plastic full-pack envelope intended for use in horizontal deflection circuits of colour television receivers and computer monitors. Features exceptional tole
bu2507dx.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BU2507DX DESCRIPTION High Switching Speed High Voltage Built-in Ddamper Ddiode Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection circuits of coluor TV receivers and computer monitors. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V C
Другие транзисторы: BRY39, BRY56, BRY56A, BRY61, BRY62, BU1506DX, BU1507AX, BU1507DX, A1013, BU2515AF, BU2515DF, BU2522DF, BU2522DX, BU2523DF, BU2523DX, BU2525DF, BU2525DW
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n4401 | bc547 transistor | bd139 | 2n4401 datasheet | irf640 | irf840 | irf740 | c945 transistor




