BU2507DF - описание и поиск аналогов

 

BU2507DF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU2507DF

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 13.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 68 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 14

Корпус транзистора: SOT199

 Аналоги (замена) для BU2507DF

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU2507DF даташит

 ..1. Size:46K  philips
bu2507df.pdfpdf_icon

BU2507DF

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2507DF GENERAL DESCRIPTION Enhanced performance, new generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor with an integrated damper diode in a plastic full-pack envelope intended for use in horizontal deflection circuits of colour television receivers and computer monitors. Features exceptional tole

 ..2. Size:213K  inchange semiconductor
bu2507df.pdfpdf_icon

BU2507DF

isc Silicon NPN Power Transistor BU2507DF DESCRIPTION High Switching Speed High Voltage Built-in Ddamper Ddiode Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection circuits of coluor TV receivers and computer monitors. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V C

 7.1. Size:42K  philips
bu2507dx.pdfpdf_icon

BU2507DF

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2507DX GENERAL DESCRIPTION Enhanced performance, new generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor with an integrated damper diode in a plastic full-pack envelope intended for use in horizontal deflection circuits of colour television receivers and computer monitors. Features exceptional tole

 7.2. Size:217K  inchange semiconductor
bu2507dx.pdfpdf_icon

BU2507DF

isc Silicon NPN Power Transistor BU2507DX DESCRIPTION High Switching Speed High Voltage Built-in Ddamper Ddiode Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection circuits of coluor TV receivers and computer monitors. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V C

Другие транзисторы: BRY39, BRY56, BRY56A, BRY61, BRY62, BU1506DX, BU1507AX, BU1507DX, A1013, BU2515AF, BU2515DF, BU2522DF, BU2522DX, BU2523DF, BU2523DX, BU2525DF, BU2525DW

 

 

 

 

↑ Back to Top
.