Справочник транзисторов. BU2525DF

 

Биполярный транзистор BU2525DF Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BU2525DF
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 13.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 145 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 11
   Корпус транзистора: SOT199
 

 Аналог (замена) для BU2525DF

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU2525DF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:56K  philips
 bu2525df 1.pdf pdf_icon

BU2525DF

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2525DF GENERAL DESCRIPTIONNew generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor with integrated damper diode in a plasticfull-pack envelope intended for use in horizontal deflection circuits of large screen colour television receivers up to32 kHz.QUICK REFERENCE DATASYMBOL PARAMETER CONDIT

 ..2. Size:213K  inchange semiconductor
 bu2525df.pdf pdf_icon

BU2525DF

isc Silicon NPN Power Transistor BU2525DFDESCRIPTIONHigh VoltageHigh Speed SwitchingBuilt-in Damper DiodeMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in horizontal deflection circuits ofcolor TV receivers.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage V =

 7.1. Size:57K  philips
 bu2525dx 1.pdf pdf_icon

BU2525DF

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2525DX GENERAL DESCRIPTIONNew generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor with integrated damper diode in a plasticfull-pack envelope intended for use in horizontal deflection circuits of large screen colour television receivers up to32 kHz.QUICK REFERENCE DATASYMBOL PARAMETER CONDIT

 7.2. Size:58K  philips
 bu2525dw 1.pdf pdf_icon

BU2525DF

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2525DW GENERAL DESCRIPTIONNew generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor with integrated damper diode in a plasticenvelope intended for use in horizontal deflection circuits of large screen colour television receivers up to 32 kHz.QUICK REFERENCE DATASYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. M

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... BU1507DX , BU2507DF , BU2515AF , BU2515DF , BU2522DF , BU2522DX , BU2523DF , BU2523DX , D880 , BU2525DW , BU2525DX , BU2527DF , 2DA2018 , 2DB1119S , 2DB1386Q , 2DB1386R , 2DB1424R .

History: 2SC552

 

 
Back to Top

 


 
.