BU2525DF - описание и поиск аналогов

 

BU2525DF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU2525DF

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 13.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 145 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 11

Корпус транзистора: SOT199

 Аналоги (замена) для BU2525DF

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU2525DF даташит

 ..1. Size:56K  philips
 bu2525df 1.pdf pdf_icon

BU2525DF

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2525DF GENERAL DESCRIPTION New generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor with integrated damper diode in a plastic full-pack envelope intended for use in horizontal deflection circuits of large screen colour television receivers up to 32 kHz. QUICK REFERENCE DATA SYMBOL PARAMETER CONDIT

 ..2. Size:213K  inchange semiconductor
 bu2525df.pdf pdf_icon

BU2525DF

isc Silicon NPN Power Transistor BU2525DF DESCRIPTION High Voltage High Speed Switching Built-in Damper Diode Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection circuits of color TV receivers. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage V =

 7.1. Size:57K  philips
 bu2525dx 1.pdf pdf_icon

BU2525DF

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2525DX GENERAL DESCRIPTION New generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor with integrated damper diode in a plastic full-pack envelope intended for use in horizontal deflection circuits of large screen colour television receivers up to 32 kHz. QUICK REFERENCE DATA SYMBOL PARAMETER CONDIT

 7.2. Size:58K  philips
 bu2525dw 1.pdf pdf_icon

BU2525DF

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2525DW GENERAL DESCRIPTION New generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor with integrated damper diode in a plastic envelope intended for use in horizontal deflection circuits of large screen colour television receivers up to 32 kHz. QUICK REFERENCE DATA SYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. M

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BU1507DX, BU2507DF, BU2515AF, BU2515DF, BU2522DF, BU2522DX, BU2523DF, BU2523DX, 2N4401, BU2525DW, BU2525DX, BU2527DF, 2DA2018, 2DB1119S, 2DB1386Q, 2DB1386R, 2DB1424R

 

 

 

 

↑ Back to Top
.