Справочник транзисторов. BU2525DW

 

Биполярный транзистор BU2525DW Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BU2525DW
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 13.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 145 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 11
   Корпус транзистора: SOT429
 

 Аналог (замена) для BU2525DW

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU2525DW Datasheet (PDF)

 ..1. Size:58K  philips
 bu2525dw 1.pdf pdf_icon

BU2525DW

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2525DW GENERAL DESCRIPTIONNew generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor with integrated damper diode in a plasticenvelope intended for use in horizontal deflection circuits of large screen colour television receivers up to 32 kHz.QUICK REFERENCE DATASYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. M

 ..2. Size:214K  inchange semiconductor
 bu2525dw.pdf pdf_icon

BU2525DW

isc Silicon NPN Power Transistor BU2525DWDESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 800V (Min)CEO(SUS)High Switching SpeedBuilt-in Damper DiodeMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in horizontal deflection circuits ofcolor TV receivers.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBO

 7.1. Size:56K  philips
 bu2525df 1.pdf pdf_icon

BU2525DW

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2525DF GENERAL DESCRIPTIONNew generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor with integrated damper diode in a plasticfull-pack envelope intended for use in horizontal deflection circuits of large screen colour television receivers up to32 kHz.QUICK REFERENCE DATASYMBOL PARAMETER CONDIT

 7.2. Size:57K  philips
 bu2525dx 1.pdf pdf_icon

BU2525DW

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2525DX GENERAL DESCRIPTIONNew generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor with integrated damper diode in a plasticfull-pack envelope intended for use in horizontal deflection circuits of large screen colour television receivers up to32 kHz.QUICK REFERENCE DATASYMBOL PARAMETER CONDIT

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... BU2507DF , BU2515AF , BU2515DF , BU2522DF , BU2522DX , BU2523DF , BU2523DX , BU2525DF , SS8050 , BU2525DX , BU2527DF , 2DA2018 , 2DB1119S , 2DB1386Q , 2DB1386R , 2DB1424R , 2DB1689 .

 

 
Back to Top

 


 
.