BU2525DW. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BU2525DW
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 13.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 145 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 11
Корпус транзистора: SOT429
Аналоги (замена) для BU2525DW
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BU2525DW даташит
bu2525dw 1.pdf
Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2525DW GENERAL DESCRIPTION New generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor with integrated damper diode in a plastic envelope intended for use in horizontal deflection circuits of large screen colour television receivers up to 32 kHz. QUICK REFERENCE DATA SYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. M
bu2525dw.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BU2525DW DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 800V (Min) CEO(SUS) High Switching Speed Built-in Damper Diode Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection circuits of color TV receivers. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBO
bu2525df 1.pdf
Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2525DF GENERAL DESCRIPTION New generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor with integrated damper diode in a plastic full-pack envelope intended for use in horizontal deflection circuits of large screen colour television receivers up to 32 kHz. QUICK REFERENCE DATA SYMBOL PARAMETER CONDIT
bu2525dx 1.pdf
Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2525DX GENERAL DESCRIPTION New generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor with integrated damper diode in a plastic full-pack envelope intended for use in horizontal deflection circuits of large screen colour television receivers up to 32 kHz. QUICK REFERENCE DATA SYMBOL PARAMETER CONDIT
Другие транзисторы: BU2507DF, BU2515AF, BU2515DF, BU2522DF, BU2522DX, BU2523DF, BU2523DX, BU2525DF, 2222A, BU2525DX, BU2527DF, 2DA2018, 2DB1119S, 2DB1386Q, 2DB1386R, 2DB1424R, 2DB1689
History: 2N5684 | 2N525A
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irf640n | 2n3904 | bc547 datasheet | k3797 mosfet | bs170 datasheet | tip41c | irfp460 | irfz44n mosfet



