Биполярный транзистор BU2525DX Даташит. Аналоги
Наименование производителя: BU2525DX
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 13.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 145 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 11
Корпус транзистора: SOT399
- подбор биполярного транзистора по параметрам
BU2525DX Datasheet (PDF)
bu2525dx 1.pdf

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2525DX GENERAL DESCRIPTIONNew generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor with integrated damper diode in a plasticfull-pack envelope intended for use in horizontal deflection circuits of large screen colour television receivers up to32 kHz.QUICK REFERENCE DATASYMBOL PARAMETER CONDIT
bu2525dx.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor BU2525DXDESCRIPTIONHigh Switching SpeedHigh VoltageBuilt-in Ddamper DdiodeMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in horizontal deflection circuits oflarge screen color TV receiversABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Ba
bu2525df 1.pdf

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2525DF GENERAL DESCRIPTIONNew generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor with integrated damper diode in a plasticfull-pack envelope intended for use in horizontal deflection circuits of large screen colour television receivers up to32 kHz.QUICK REFERENCE DATASYMBOL PARAMETER CONDIT
bu2525dw 1.pdf

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2525DW GENERAL DESCRIPTIONNew generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor with integrated damper diode in a plasticenvelope intended for use in horizontal deflection circuits of large screen colour television receivers up to 32 kHz.QUICK REFERENCE DATASYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. M
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: 2SD993 | 3DD4540_A9 | BF393 | DMC56603 | ZTX454 | DTA024EEB | 2SA622
History: 2SD993 | 3DD4540_A9 | BF393 | DMC56603 | ZTX454 | DTA024EEB | 2SA622



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n3904 | bc547 datasheet | k3797 mosfet | bs170 datasheet | tip41c | irfp460 | irfz44n mosfet | lm317t datasheet