Справочник транзисторов. DPLS315E

 

Биполярный транзистор DPLS315E Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: DPLS315E
   Маркировка: P315
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 500
   Корпус транзистора: SOT223
 

 Аналог (замена) для DPLS315E

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DPLS315E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:158K  diodes
dpls315e.pdfpdf_icon

DPLS315E

DPLS315EDPLS315E LOW VCE(SAT) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models database.Features Epitaxial Planar Die Construction Low Collector-Emitter Saturation Resistance RCE(SAT) = 70m at 3A High DC Current Gain hFE > 300 at IC = 2A Complementary NPN Type Available (DNLS412E) Ideally Suited for Automated Assembly Proces

 9.1. Size:174K  diodes
dpls320a.pdfpdf_icon

DPLS315E

DPLS320A LOW VCE(SAT) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models database.Features Epitaxial Planar Die Construction Ideal for Medium Power Amplification and Switching Complimentary NPN Type Available (DNLS320A) Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) Green Device (Note 2) Qualified to AEC-Q101 Standards fo

 9.2. Size:134K  diodes
dpls350e.pdfpdf_icon

DPLS315E

DPLS350ELOW VCE(SAT) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Epitaxial Planar Die Construction Case: SOT-223 Ideally Suited for Automated Assembly Processes Case Material: Molded Plastic, "Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Ideal for Medium Power Switchi

 9.3. Size:156K  diodes
dpls325e.pdfpdf_icon

DPLS315E

DPLS325E LOW VCE(SAT) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models database.Features Epitaxial Planar Die Construction Low Collector-Emitter Saturation Resistance RCE(SAT) = 70m at 3A High DC Current Gain hFE > 200 at IC = 2A Complementary NPN Type Available (DNLS320E) Ideally Suited for Automated Assembly Processes

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top

 


 
.