Биполярный транзистор 2N5470 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: 2N5470
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2000 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO251
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам