2N5470. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N5470

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO251

 Аналоги (замена) для 2N5470

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N5470 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: 2N5455, 2N5456, 2N546, 2N5466, 2N5467, 2N5468, 2N5469, 2N547, TIP122, 2N5477, 2N5478, 2N5479, 2N548, 2N5480, 2N5481, 2N5482, 2N5483