MMDT4403 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MMDT4403  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: SOT363

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MMDT4403

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMDT4403 даташит

 ..1. Size:170K  diodes
mmdt4403.pdfpdf_icon

MMDT4403

MMDT4403 DUAL PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features A Epitaxial Planar Die Construction SOT-363 C2 B1 E1 Ideal for Low Power Amplification and Switching Dim Min Max Ultra-Small Surface Mount Package A 0.10 0.30 B C Lead Free/RoHS Compliant (Note 3) B 1.15 1.35 "Green" Device (Note 4 and 5) E2 B2 C1 C 2.00 2.20 Mechanical Data D 0.

 ..2. Size:499K  mcc
mmdt4403 sot-363.pdfpdf_icon

MMDT4403

MCC TM Micro Commercial Components 20736 Marilla Street Chatsworth MMDT4403 Micro Commercial Components CA 91311 Phone (818) 701-4933 Fax (818) 701-4939 Features Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates PNP RoHS Compliant. See ordering information) Epitaxial Planar Die Construction Plastic-Encapsulate Ideal for Low Power Amplification and Switching

 ..3. Size:247K  secos
mmdt4403.pdfpdf_icon

MMDT4403

MMDT4403 PNP Silicon Elektronische Bauelemente Multi-Chip Transistor RoHS Compliant Product SOT-363 * Features o .055(1.40) 8 .047(1.20) 0o .026TYP (0.65TYP) .021REF (0.525)REF Power dissipation. O PCM 0.2 W (Temp.=25 C) .053(1.35) .096(2.45) .045(1.15) .085(2.15) Collector current .018(0.46) .010(0.26) ICM - 0.6 A .014(0.35) .006(0.15) C B E .006(0.15) 2 1

 ..4. Size:1509K  jiangsu
mmdt4403.pdfpdf_icon

MMDT4403

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate Transistors J C T DUAL TRANSISTOR (PNP+PNP) MMDT4403 SOT-363 FEATURES Epitaxial Planar Die Construction Ideal for Low Power Amplification and Switching MRKING K2T Maximum Ratings (Ta=25 unless otherwise specified) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage -40 V VCEO

Другие транзисторы: MMDT2222V, MMDT3904, MMDT3904VC, MMDT3906, MMDT3906VC, MMDT3946, MMDT3946LP4, MMDT4401, A940, MMDT4413, MMST2222A, MMST3904, MMST3906, MMST4401, MMST4403, ZDT6790, ZUMT619