Справочник транзисторов. 2N5480

 

Биполярный транзистор 2N5480 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2N5480

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 250 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60

Корпус транзистора: TO59

Аналоги (замена) для 2N5480

 

 

2N5480 Datasheet (PDF)

5.1. 2n5484.pdf Size:754K _fairchild_semi

2N5480
2N5480

2N5484 MMBF5484 2N5485 MMBF5485 2N5486 MMBF5486 G S G TO-92 S SOT-23 D D Mark: 6B / 6M / 6H NOTE: Source & Drain are interchangeable N-Channel RF Amplifier This device is designed primarily for electronic switching applications such as low On Resistance analog switching. Sourced from Process 50. Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Uni

5.2. 2n5484 2n5485 2n5486 mmbf5484 mmbf5485 mmbf5486.pdf Size:357K _fairchild_semi

2N5480
2N5480

February 2009 2N5484/5485/5486 MMBF5484/5485/5486 2007 Fairchild Semiconductor Corporation www.fairchildsemi.com 2N5484/5485/5486 MMBF5484/5485/5486 Rev. 1.0.0 1 2N5484/5485/5486 MMBF5484/5485/5486 2007 Fairchild Semiconductor Corporation www.fairchildsemi.com Rev. 1.0.0 2 2007 Fairchild Semiconductor Corporation www.fairchildsemi.com Rev. 1.0.0 3 2007 Fairchild Se

 5.3. 2n5484 sst5484 2n5485 sst5485 2n5486 sst5486.pdf Size:85K _vishay

2N5480
2N5480

2N/SST5484 Series Vishay Siliconix N-Channel JFETs 2N5484 SST5484 2N5485 SST5485 2N5486 SST5486 PRODUCT SUMMARY Part Number VGS(off) (V) V(BR)GSS Min (V) gfs Min (mS) IDSS Min (mA) 2N/SST5484 -0.3 to -3 -25 3 1 2N/SST5485 -0.5 to -4 -25 3.5 4 2N/SST5486 -2 to -6 -25 4 8 FEATURES BENEFITS APPLICATIONS D Excellent High-Frequency Gain: D Wideband High Gain D High-Frequency Amplifier/Mixer

5.4. 2n5484 2n5485 2n5486.pdf Size:74K _central

2N5480

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

 5.5. 2n5486.pdf Size:146K _onsemi

2N5480
2N5480

2N5486 JFET VHF/UHF Amplifiers N-Channel Depletion Features Pb-Free Packages are Available* http://onsemi.com 1 DRAIN MAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted) Rating Symbol Value Unit 3 GATE Drain-Gate Voltage VDG 25 Vdc Reverse Gate-Source Voltage VGSR 25 Vdc 2 SOURCE Drain Current ID 30 mAdc Forward Gate Current IG(f) 10 mAdc Total Device Dissipation @ TC = 25C PD

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 9012 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top

 


2N5480
  2N5480
  2N5480
 

social 

Список транзисторов

Обновления

BJT: CHDTC114EKPT | CE1A3Q | 2SC6089 | 2SC4714 | 2SD1047C | 2SB817C | FW26025A1 | 2T665B9 | 2T665A9 | MJ13001A | HSC2682 | MRF660 | MP1620 | HLD133D | BFR360F | AV8050S | 3DD5027 | 3DD2901 | 3DD2102 | 3DD313 |

 

 

 

 

Back to Top