Справочник транзисторов. 2SB1412-R

 

Биполярный транзистор 2SB1412-R - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2SB1412-R
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 180
   Корпус транзистора: TO252
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

 

2SB1412-R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:39K  kexin
2sb1412-r.pdf pdf_icon

2SB1412-R

SMD Type TransistorsLow Frequency Transistor2SB1412TO-252Unit: mm+0.15 +0.16.50-0.15 2.30-0.1+0.2 +0.85.30-0.2 0.50-0.7FeaturesLow VCE(sat).PNP silicon transistor.0.127+0.1 max0.80-0.1+0.12.3 0.60-0.11 Base+0.154.60-0.152 Collector3 EmitterAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO -30 VCollector-emit

 6.1. Size:39K  kexin
2sb1412-p.pdf pdf_icon

2SB1412-R

SMD Type TransistorsLow Frequency Transistor2SB1412TO-252Unit: mm+0.15 +0.16.50-0.15 2.30-0.1+0.2 +0.85.30-0.2 0.50-0.7FeaturesLow VCE(sat).PNP silicon transistor.0.127+0.1 max0.80-0.1+0.12.3 0.60-0.11 Base+0.154.60-0.152 Collector3 EmitterAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO -30 VCollector-emit

 6.2. Size:39K  kexin
2sb1412-q.pdf pdf_icon

2SB1412-R

SMD Type TransistorsLow Frequency Transistor2SB1412TO-252Unit: mm+0.15 +0.16.50-0.15 2.30-0.1+0.2 +0.85.30-0.2 0.50-0.7FeaturesLow VCE(sat).PNP silicon transistor.0.127+0.1 max0.80-0.1+0.12.3 0.60-0.11 Base+0.154.60-0.152 Collector3 EmitterAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO -30 VCollector-emit

 7.1. Size:107K  rohm
2sb1386 2sb1412 2sb1326.pdf pdf_icon

2SB1412-R
2SB1412-R

2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326 Transistors Low frequency transistor (-20V, -5A) 2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326 External dimensions (Unit : mm) Features 1) Low VCE(sat). 2SB1386 2SB1412VCE(sat) = -0.35V (Typ.) 2.3+0.26.50.2-0.14.5+0.2C0.5-0.15.1+0.21.5+0.2 -0.1 0.50.1(IC/IB = -4A / -0.1A) 1.60.1 -0.12) Excellent DC current gain characteristics. 3) Compleme

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 
Back to Top

 


 
.