BCP5510 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BCP5510  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 63

Корпус транзистора: SOT223

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BCP5510

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BCP5510 даташит

 0.1. Size:424K  diodes
bcp54ta bcp5410ta bcp5416ta bcp5416qta bcp55ta bcp5510ta bcp5516ta bcp56ta bcp5610ta bcp5616ta bcp5616tc bcp5616qta bcp5616qtc.pdfpdf_icon

BCP5510

BCP 54/ 55/ 56 NPN MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT223 Features Mechanical Data BVCEO > 45V, 60V & 80V Case SOT223 IC = 1A High Continuous Collector Current Case Material Molded Plastic. Green Molding Compound; ICM = 2A Peak Pulse Current UL Flammability Rating 94V-0 2W Power Dissipation Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020 Low Saturat

 9.1. Size:153K  philips
bc637 bcp55 bcx55.pdfpdf_icon

BCP5510

BC637; BCP55; BCX55 60 V, 1 A NPN medium power transistors Rev. 07 25 June 2007 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN medium power transistor series. Table 1. Product overview Type number[1] Package PNP complement NXP JEITA JEDEC BC637[2] SOT54 SC-43A TO-92 BC638 BCP55 SOT223 SC-73 - BCP52 BCX55 SOT89 SC-62 TO-243 BCX52 [1] Valid for all available sel

 9.2. Size:48K  philips
bcp54 bcp55 bcp56 3.pdfpdf_icon

BCP5510

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D087 BCP54; BCP55; BCP56 NPN medium power transistors 1999 Apr 08 Product specification Supersedes data of 1997 Apr 08 Philips Semiconductors Product specification NPN medium power transistors BCP54; BCP55; BCP56 FEATURES PINNING High current (max. 1 A) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 80 V). 1 base 2, 4 collector AP

 9.3. Size:71K  st
bcp55-bcp56.pdfpdf_icon

BCP5510

BCP55/56 MEDIUM POWER AMPLIFIER ADVANCE DATA SILICON EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORS MINIATURE PLASTIC PACKAGE FOR APPLICATION IN SURFACE MOUNTING CIRCUITS GENERAL PURPOSE MAINLY INTENDED 2 FOR USE IN MEDIUM POWER INDUSTRIAL APPLICATION AND FOR AUDIO AMPLIFIER 3 OUTPUT STAGE 2 PNP COMPLEMENTS ARE BCP52 AND 1 BCP53 RESPECTIVELY SOT-223 INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM ABSOLUTE

Другие транзисторы: ZXTP5401Z, ZXTP558L, BC846AS, BC856AS, BCP5210, BCP5216, BCP5310, BCP5316, 2SD2499, BCP5516, BCP5610, BCP5616, BCX5210, BCX5216, BCX5310, BCX5316, BCX5510