DNLS160 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DNLS160  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для DNLS160

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DNLS160 даташит

 ..1. Size:266K  diodes
dnls160.pdfpdf_icon

DNLS160

NOT RECOMMENDED FOR NEW DESIGN USE DSS4160T DNLS160 LOW VCE(SAT) NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features Epitaxial Planar Die Construction Complementary PNP Type Available (DPLS160) Surface Mount Package Suited for Automated Assembly Lead Free/RoHS Compliant (Note 1) "Green Device" (Note 2) Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability SOT-23

 0.1. Size:188K  diodes
dnls160v.pdfpdf_icon

DNLS160

DNLS160V LOW V NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR CE(SAT) Please click here to visit our online spice models database. Features Epitaxial Planar Die Construction Complementary PNP Type Available (DPLS160V) Surface Mount Package Suited for Automated Assembly Ultra-Small Surface Mount Package Lead Free/RoHS Compliant (Note 1) "Green Device" (Note 2) Qual

Другие транзисторы: BCX5310, BCX5316, BCX5510, BCX5516, BCX5610, BCX5616, DMB2227A, DNBT8105, D209L, DNLS160V, DPBT8105, DPLS160, DPLS160V, DSS4160U, DSS4160V, DSS5160U, DSS5160V