DNLS160V datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DNLS160V  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 250

Корпус транзистора: SOT563

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для DNLS160V

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DNLS160V даташит

 ..1. Size:188K  diodes
 dnls160v.pdf pdf_icon

DNLS160V

DNLS160V LOW V NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR CE(SAT) Please click here to visit our online spice models database. Features Epitaxial Planar Die Construction Complementary PNP Type Available (DPLS160V) Surface Mount Package Suited for Automated Assembly Ultra-Small Surface Mount Package Lead Free/RoHS Compliant (Note 1) "Green Device" (Note 2) Qual

 7.1. Size:266K  diodes
 dnls160.pdf pdf_icon

DNLS160V

NOT RECOMMENDED FOR NEW DESIGN USE DSS4160T DNLS160 LOW VCE(SAT) NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features Epitaxial Planar Die Construction Complementary PNP Type Available (DPLS160) Surface Mount Package Suited for Automated Assembly Lead Free/RoHS Compliant (Note 1) "Green Device" (Note 2) Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability SOT-23

Другие транзисторы: BCX5316, BCX5510, BCX5516, BCX5610, BCX5616, DMB2227A, DNBT8105, DNLS160, 2N4401, DPBT8105, DPLS160, DPLS160V, DSS4160U, DSS4160V, DSS5160U, DSS5160V, DSS60600MZ4