DPLS160V datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DPLS160V  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 150

Корпус транзистора: SOT563

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для DPLS160V

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DPLS160V даташит

 ..1. Size:167K  diodes
 dpls160v.pdf pdf_icon

DPLS160V

DPLS160V LOW VCE(SAT) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models database. Features Epitaxial Planar Die Construction Complementary NPN Type Available (DNLS160V) Surface Mount Package Suited for Automated Assembly Ultra Small Surface Mount Package Lead Free/RoHS Compliant (Note 1) "Green Device" (Note 2) Qualif

 7.1. Size:164K  diodes
 dpls160.pdf pdf_icon

DPLS160V

DPLS160 LOW VCE(SAT) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models database. Features Epitaxial Planar Die Construction Complementary NPN Type Available (DNLS160) Surface Mount Package Suited for Automated Assembly Lead Free/RoHS Compliant (Note 1) "Green Device" (Note 2) Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliabil

Другие транзисторы: BCX5610, BCX5616, DMB2227A, DNBT8105, DNLS160, DNLS160V, DPBT8105, DPLS160, NJW0281G, DSS4160U, DSS4160V, DSS5160U, DSS5160V, DSS60600MZ4, DSS60601MZ4, DSS8110Y, DSS9110Y